NAND論理ゲートは完全に対称的ですか?


回答:


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回路がスイッチング中に電流をシンクしている間、NスタックのVGSが異なるため、その回路には非常に小さな違いがあります。状況によっては、M1はM2よりもわずかに遅くなります。

ただし、回路のレイアウトなど、他の要因も同様に大きな影響を与える可能性があります。

完璧を定義します。私たちがEEで行うことの多くは、モデリングに関するものです。モデルは完全ではなく、抽象化のほとんどのレベルで、この回路の動作は対称的であると見なされます。通常、これらのゲートの数十が含まれる回路で非常に小さな違いを許容すると、何も実行されません。


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環境によって異なります。
上の回路でもFPGAでも同じかもしれませんが、ASICライブラリではさまざまな入力の違いが見つかります。


私はそれを入れ替えて入力を変更しようとしました、そして私はそれが対称的であると思う理由であるので正確に同じ結果を得ました。しかし、私は正しい推論を見つけることができません。
Vahram Voskerchyan 2018年

@VahramVoskerchyanそれは間違ったロジックです(今)。これを考慮してください:対称ではないNANDを作成した場合、たとえば、その入力の1つに異なる電圧要件があったとしても、NANDでしょうか?
candied_orange 2018年

@CandiedOrangeしかし、非対称の論理ゲートがあります。たとえば、Pseudo NMOS NAND(誤解しない限り)。
Vahram Voskerchyan 2018年

それがポイントです。1つの対称NANDがすべてのNANDが対称であることを意味すると主張することは、論理に誤りがあります。
candied_orange

PMOSトランジスタM3およびM4は両方とも、スイッチング中にそれらのCgdを介して出力に影響を与える。しかしながら、NMOSトランジスタM1のみが同じことを行うことができる。したがって、スイッチング中、M1とM2はピークに異なる影響を与えます。必要なスイッチングしきい値も少し異なります。AとBが同じ電圧であっても、両方のトランジスタのvgは同じではありません。これは、M2にも電流を流すために特定のvdsが必要になるためです。
Vahram Voskerchyan 2018年

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M1とM2のデバイスが異なる構成であるので、そこになります AとBの入力の間の差です。

ただし、その違いのタイミングまたはしきい値の影響を確認するには、非常に注意深く注意する必要があります。

システムにロジックゲートを設計するときは、最大仕様に取り組みますが、標準に近い動作を期待します。多くの場合、最大仕様と標準仕様の間には2:1または3:1のばらつきがあります。A入力とB入力のパフォーマンスの違いは、最大タイミングと標準タイミングの違いよりもはるかに小さい可能性があります。


それで、私たちの回路はいくつかのバリエーションで対称的であると言えるでしょうか?
Vahram Voskerchyan 2018年

いいえ。論理的には、名目上対称です。アナログ的に言えば、対称性はそれほど遠くない。
Neil_UK 2018年

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低ジッタPFD、位相周波数検出器のFlipFlopsを構築する場合のように、高精度のパルス処理に関心がある場合は、回路内で電荷が戦い、次のパルスを混乱させるために留まっているさまざまな方法をすべて理解する必要があります。パルス間遅延変動、したがって確定的ジッタ。


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1つの入力からの速度を最適化する必要があり、他の入力はそれほど多くないリップルキャリー加算器のために、意図的に非対称のNANDゲートを備えたチップをかつて作成しました。

いいえ、必ずしも対称的ではありません。しかし、通常はほとんどそうです。

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