Vgsは、ゲート-ソース間電圧です。
データシートでは、絶対項Vgssを見つけます。これは、ゲートとソースの間に印加できる最大電圧です。これを超えると、MOSFETに損傷を与えるリスクがあります。
Nチャネルmosfetは、基本的に2つのNタイプ領域の間に挟まれたPタイプです。
パーティーの時間。
あなたはパーティーを主催し、すべての近所の電子を招待するように招待しています。「PARTY AT MA HOUZE YOLO #SWAG！」を放送されましたね。つまり、ソースに対してゲートに正の電圧を印加します。隣人が少し離れている（隣のドア）場合、ブロードキャストの音量は十分ではありません（Vgs（th）を下回っています）。あなたと一緒にパーティーを聞いて来てください。
Vgs（th）は、MOSFETチャネルが導通し始める電圧です。この電圧、つまり正の電圧では、電子を引き寄せる電界が発生します（印加された電圧は正なので、ゲートは正に帯電します）。ゲート近くに蓄積されたこれらの電子は、ソースとドレイン（どちらもnタイプ）の間にブリッジを形成します。これで、ソースからドレインへの「連続的な」nタイプのパスができました。
あなたはあなたの隣の隣人を引き付けただけなので、あなたのパーティーはちょっと不自由です。どうやってもっと人を集めるの？大音量で放送します（電界の範囲を広げます-Vgsを上げます）。
さて、音が大きく、そしてホーリークラップがあります。平面は私たちの家に押しつぶされることです、$＃@！そのノイズです！？！私たちは人々をひどく狂わせたくないので、私たちの呼び出しが、すぐ隣の人だけに必要な最小値（Vgs（th））よりもどれだけ大きいか（違い）を知る必要があります。この違いは2つの異なる名前で呼ばれますが、私がよく耳にする2つはV-on（Von）またはV-overdrive（Vov）です。この量（Vgs-Vth）は、トランジスタがオンになるのに必要な電位よりもゲートとソースの間にどれだけ多くの電位があるかを表しており、MOSFETの他のほぼすべての動作に影響します。隣人だけが聞くことができるときのパーティー）、飽和状態の現在（人でいっぱいのときに何人の人がいる）、
これで、Vgsが増加し、プロパティでこれ以上人々を受け入れることができなくなりました。あなたは完全に満ちています。パーティーは好きなだけ放送することができますが、全員を収容するのに十分なスペースがありません。トランジスタが飽和状態になりました。[技術的には、より多くの人々がパーティーに参加できます：近所の人がパーティーを放送し始め（Vdsを増やし）、人々が家（パーティーのソースとドレイン）でパーティーを始めた場合、これはパーティーの人数を増やします（増加）電流）。これはチャネル長変調と呼ばれます。ただし、これは、家がすでに満杯の場合にのみ発生する可能性があります（チャネル長の変調は、デバイスが飽和状態にある場合にのみ発生します）。]
VgsがVgssのポイントまで増加し始めると、警官が現れてシャットダウンします。未成年者の飲酒、薬物使用など。あなたは刑務所に行きます（トランジスタが破損しています）。
