STが72 MHz MCUに100 nFデカップリングコンデンサを推奨するのはなぜですか？（10 nFではありません。）

私はデカップリングコンデンサについて読んでいますが、STが72 MHz ARMマイクロコントローラで100 nFデカップリングコンデンサを推奨する理由を理解できないようです。

通常、100 nFのデカップリングコンデンサは、共振のために約20〜40 MHzまでしか効果がありません。共振が100 MHzに近いため、10 nFのデカップリングキャップの方が適していると思いました。

（明らかに、それはパッケージとそのインダクタンスに依存しますが、それらは私が見たものからの単なるボールパーク値です。）

STM32F103データシートによると、STはV _DDに 100 nF、VDDAに10 nFのコンデンサを推奨しています。何故ですか？V _DDでも10 nFを使用すべきだと思います。

注意すべき3つのこと：

1）私の意見では、データシートとアプリケーションノートのほとんどのバイパスの推奨事項はかなりランダムです。あなたは、アプリケーションノートを書いた人より簡単に良いエンジニアになるかもしれません:-)。より良いデータシートは、ボード設計者としてあなたがどのくらいのインピーダンスを提供するべきか、そしてどの周波数までについて話すでしょう。ここでこれについて書きました。

2）ほとんどの寄生インダクタンスは、コンデンサ自体ではなく、実装インダクタンス（フットプリントとビアの長さ）に起因します。これが、小さな値ではなく小さなパッケージを希望する理由です。これが、ビアを互いに接近させ、密接に結合された電源/グランドプレーンを使用する理由でもあります。

3）チップにパッケージおよびダイの一部としてバイパスが存在する可能性がありますが、これを利用する前にデータシートに詳細を記載するのが理想的です（最初のポイントに戻ります）。そうでない場合（およびこれが発生する可能性が高い）、ここに示すように、これを自分で測定してみることができます。

インピーダンスと周波数の要件に基づいて、pdntool.comのようなものを使用して、バイパスコンデンサの最適な組み合わせを選択できます。この方法は、過去15年以上にわたって多くのプロジェクトで確実に機能しています。

ここで自分のブログ投稿をプラグインするのは言い訳ですが、必要な参照を見つける方がはるかに高速です。さらに質問をお気軽に。

考えられる理由、およびここで私は推測を行っています-私はそのチップを設計していなかったので、STがダイ上のスペアエリアを使用することでチップ上にいくつかの高品質のバイパスキャップを組み込んだからです。この容量は非常に高品質で、非常に高い共振と非常に小さなインダクタンスです。一般的なのは、ゲート容量、さらには金属層容量を使用することです。これにより、オフチップコンデンサの要件が緩和され、顧客が成功する可能性が高まります。