ガンマ線滅菌は組み込み電子機器にどのような影響を及ぼしますか

誤ってガンマ線滅菌プロセスを経た可能性のある3つの機器を受け取りました。この装置は、リチウム電池でバックアップされた周辺フラッシュメモリとSRAMを備えた16ビットマイクロコントローラーで構成される低電力組み込みデバイスです。装置は完全に死んでいるように見えます。

ガンマ線は組み込みデバイスにどのような影響を及ぼしますか？フラッシュメモリの破損？回路の劣化？コンポーネント障害？

より詳しい情報：

この装置は、私たちが作成した3つの比濁計の機器で、非常に高価なCOTSロガーを頭脳として使用しています。装置は、いくつかの堆積物サンプルとともに海外から私たちに送り返されました。税関/検疫所は、彼らが堆積物サンプルを殺菌したいと思ったと決めました、そして私は彼らが同様に器具を通過させたに違いないと思います。

予後は、おそらくあまりにも派手ではない[うめき声]。

放射線のエネルギーに応じて、デバイスの死は可能から本質的に一定です。

あなたが説明したすべての効果を潜在的に期待することができます。
明らかにまだ動作している場合でも、リーク電流が増加し、「一般的な不幸」が生じる可能性があります。

ガンマ線源は何でしたか？どんなエネルギー、どんな距離？どうして？

電子メモリデバイスの放射線損傷 PDF
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と：

...得られた結果は、ガンマ線が吸収された放射線量に比例して、しきい値電圧を低下させることを示しています。

EPROMとEEPROM：...ガンマ線により、ゲートのSiO2絶縁体に電子と正孔のペアが生成されます。生成されたペアの数は、吸収された放射線の総線量に応じて、材料に蓄積されたエネルギーに正比例します[8、14]。...

結論

...実施した実験から収集したデータの分析に基づいて、半導体メモリをガンマ線に曝すと、3つの影響が生じます。酸化物のトラップサイトに正孔が捕獲され、酸化物からFGに正孔が注入され、FG-から電子が放出されます。酸化物界面。

電子と正孔のペアが生成されると、絶縁体に正に帯電したキャリア（正孔）がトラップされ、特性が負にシフトします。すなわち、ガンマ線によって誘発される正に帯電したキャリアは、正の電荷を補償するために負のゲート電圧の増加を必要とします。これは、ガンマ線が吸収された放射線量に比例して、しきい値電圧を低下させることを意味します。

NASA-宇宙のチップ